Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Komponenter | 14 augusti 2007

Hynix licenserar ISis Z-RAM-minnesteknik<br>för DRAM-produkter

Innovative Silicon Inc. (ISi), utvecklaren av IPn Z-RAM® för högdensitetsminnen, och Hynix Semiconductor Inc. (KRX: HynixSemi) meddelar att Hynix har licenserat ISis Z-RAM-teknik för användning i företagets DRAM-kretsar.
Z-RAM-baserade DRAM-kretsar kommer att använda en bitcell med en enda transistor – snarare än en kombination av transistor- och kondensatordelar – och representerar därmed den första fundamentala förändringen av DRAM-bitcellen sedan DRAM uppfanns i början av 1970-talet. Hynix har fått möjlighet att bli först med att föra ut Z-RAM på DRAM-marknaden; och för att säkerställa detta försprång har de båda företagen ställt betydande teknikresurser till förfogande för att arbeta sida vid sida inom utvecklingsprogrammet.

Z-RAM utvecklades ursprungligen som världens billigaste inbyggda minnesteknik för logik-baserade integrerade kretsar såsom mobiltelefonkretsset, mikroprocessorer, nätverks- och andra konsumenttillämpningar. Tekniken licenserades först, i december 2005, av AMD för kommande mikroprocessorkonstruktioner. Avtalet med Hynix lovar nu att göra Z-RAM till den billigaste tekniken för minnen på en marknad värd mer än 30 miljarder dollar.

"Z-RAM lovar att tillhandahålla ett elegant tillvägagångssätt för tillverkning av täta DRAM-kretsar på nanometerprocesser. Vi ser möjligheten att skapa en ny plattform av produkter baserade på ISis innovation av Z-RAM som kommer att hjälpa oss att bibehålla och öka vår ledarställning på minnesmarknaden", säger Sung-Joo Hong, vice-vd för Hynix FoU-enhet.

"Hynix beslut att samarbeta med ISi är ytterligare bevis på styrkan och det kommersiella värdet hos vår Z-RAM-minnesteknik, särskilt eftersom Hynix är en dominerande aktör på minneskretsmarknaden och företagets produkter används i en enorm mängd av elektroniksystem, inkluderande persondatorer, servrar, arbetsstationer, grafikkort, liksom handhållen utrustning, såsom mobiltelefoner, MP3-spelare och digitalkameror. Minneskretsar byggda med ISis Z-RAM-teknik kommer att vara mycket mindre och billigare att tillverka. Vi ser fram emot att samarbeta med Hynix kring företagets nästa generation av DRAM-kretsar, och att ge enorma prestanda- och användbarhetsfördelar till slutanvändarna", anmärker Mark-Eric Jones, ISis vd.

"Vi ser detta som en viktig milsten för ISi och Hynix. Z-RAM kommer att ha avgörande betydelse för det sätt på vilket DRAM-kretsar konstrueras och tillverkas. Eftersom DRAM-industrin sålde produkter för mer än 33 miljarder dollar under 2006 kommer denna utveckling i sin tur att påverka elektronikindustrin som helhet", kommenterar Jeff Lewis, vice marknadschef hos Isi

Z-RAMs minnesbitcell med en transistor är möjlig tack vare användningen av den s k FB-effekten (Floating Body Effect) som återfinns i kretsar tillverkade på SOI-(kisel-på-isolator)-skivor. Dessutom, eftersom Z-RAM drar fördel av en naturligt förekommande SOI-effekt, kräver Z-RAM inga exotiska processförändringar för att bygga kondensatorer eller andra komplexa strukturer inom minnesbitcellen.

Kommentarer

Vänligen notera följande: Kritiska kommentarer är tillåtna och till och med uppmuntrade. Diskussioner är välkomna. Verbala övergrepp, förolämpningar, rasistiska och homofobiska kommentarer är inte tillåtna och sådana inlägg kommer att raderas.
Annons
Annons
Visa fler nyheter
2017-11-14 20:30 V8.8.9-2