Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Komponenter | 13 februari 2012

Samsung sopar banan med mobila DRAM-tillverkare

Samsung tar 54% av DRAM-marknaden och koreanska tillverkare står nu för nära 75% av de globala intäkterna.
Elektronikjätten Samsung fortsätter att skörda framgångar. Analytikerna hos DRAMeXchange säger nu att de stora minnestillverkarna ser ut att lägga i ytterligare en växel. Samsung blir den stora vinnaren tack vare framgången hos företagets egna produkter, främst telefoner, och företagets NAND-flash-produkter.

När det gäller priserna för DRAM sjönk de på år-till-år-basis med 10% under Q4. Priserna kommer att vara fortsatt lägre under början av året på grund av den traditionellt sett lugnare marknaden. Prisminskningen ligger på mellan 15-20% tror DRAMeXchange.

En av framgångsfaktorerna förutom Samsungs höga försäljning av produkter är produktionstekniken som bygger på 35nm-formatet.

Hynix teknik bygger samtidigt på 44nm men man avser migrera till 38nm gradvis. I framtiden kommer man öka proportionen av mobil DRAM och arbeta med teknikförnyelse för att öka lönsamheten.

Japanska Elpida hade en marknadsandel som var mindre än 20% under fjärde kvartalet. De har heller inte stöd av produkter inom NAND-flash på samma sätt som Samsung. Vilken väg Elpida väljer att gå härifrån blir avgörande.

Taiwanesiska Winbond arbetar fortfarande med 65nm och ligger således bakom sina japanska och koreanska konkurrenter. Under året hoppas man dock ha migrerat till 46nm-processer. Fokuset kommer också stegvis att flyttas från low-end-telefoner till mellan- och högpresterande produkter.

Winbonds produkter är för närvarande pseudo-DRAM men i framtiden kommer det bli mer Low Power Double Data Rate memory (LPDDR)

Kommentarer

Vänligen notera följande: Kritiska kommentarer är tillåtna och till och med uppmuntrade. Diskussioner är välkomna. Verbala övergrepp, förolämpningar, rasistiska och homofobiska kommentarer är inte tillåtna och sådana inlägg kommer att raderas.
Annons
Annons
Visa fler nyheter
2017-12-13 22:15 V8.9.2-1