Samsung först på 10nm

Samsung blir det första bolaget att starta storskalig produktion på 10nm-noden. "Branschens första massproduktion av 10 nm FinFET-teknik demonstrerar vårt ledarskap inom avancerad processteknik", säger Jong Shik Yoon, Executive Vice President, chef för Foundry-verksamheten hos Samsung Electronics. Samsungs nya 10nm FinFET-process (10LPE) antar en avancerad 3D-transistorstruktur med ytterligare förbättringar i både processteknik och design jämfört med sin 14nm föregångare , vilket medger upp till 30-procentig ökning i yteffektivitet med 27 procent högre prestanda eller 40 procent lägre strömförbrukning, skriver bolaget. SoC:er med 10nm processteknik kommer att användas i digitala enheter som lanseras i början av nästa år och förväntas bli mer allmänt tillgängliga genom 2017.