Komponenter |
Samsung ner till 70 nm i DRAM
Samsung utvecklar 70 nm DRAM-process med CVD-metoden
Den existerande tekniken för att lägga ledare, PVD(Physical Vapor Deposition), har varit svår att applicera på processer mindre än 90 nm eftersom ytstrukturen inte blivit tillräckligt plan. CVD(Chemical Vapor Deposition) är en, aluminiumbaserad, kemisk process för att applicera ledande metallorganiska ytskikt. CVD löser problemet med den dåliga strukturen samt förbereder också de elektriska egenskaperna till ledningsnätet. Den är dessutom 20% billigare.
Samsung räknar med att kunna ha 70 nm DRAM innan året är slut.
