Smart lösning ökar chipsprestanda

Genom att placera en blandning av kisel och germanium under kislet i transistorerna har IBM lyckats höja prestanda med upp till 35 procent på elektronerna som rusar fram i processorn. Metoden gör att kiselkanalen dras ut vilket gör att motståndet minskar och elektronerna kan rusa fram med en genomströmningshastighet som är 70 procent snabbare än på dagens transistorer. Den lättare genomströmningen gör att strömförbrukningen minskar ordentligt. Men tekniken som IBM kallar "Strained sillicon" kommer vi inte att få se förrän år 2003. Man säger att processorerna med den nya tekniken kommer att arbeta med en klockfrekvens på upp till 4-5 gigahertz.