Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Komponenter | 14 augusti 2007

Hynix licenserar ISis Z-RAM-minnesteknik<br>för DRAM-produkter

Innovative Silicon Inc. (ISi), utvecklaren av IPn Z-RAM® för högdensitetsminnen, och Hynix Semiconductor Inc. (KRX: HynixSemi) meddelar att Hynix har licenserat ISis Z-RAM-teknik för användning i företagets DRAM-kretsar.

Z-RAM-baserade DRAM-kretsar kommer att använda en bitcell med en enda transistor – snarare än en kombination av transistor- och kondensatordelar – och representerar därmed den första fundamentala förändringen av DRAM-bitcellen sedan DRAM uppfanns i början av 1970-talet. Hynix har fått möjlighet att bli först med att föra ut Z-RAM på DRAM-marknaden; och för att säkerställa detta försprång har de båda företagen ställt betydande teknikresurser till förfogande för att arbeta sida vid sida inom utvecklingsprogrammet. Z-RAM utvecklades ursprungligen som världens billigaste inbyggda minnesteknik för logik-baserade integrerade kretsar såsom mobiltelefonkretsset, mikroprocessorer, nätverks- och andra konsumenttillämpningar. Tekniken licenserades först, i december 2005, av AMD för kommande mikroprocessorkonstruktioner. Avtalet med Hynix lovar nu att göra Z-RAM till den billigaste tekniken för minnen på en marknad värd mer än 30 miljarder dollar. "Z-RAM lovar att tillhandahålla ett elegant tillvägagångssätt för tillverkning av täta DRAM-kretsar på nanometerprocesser. Vi ser möjligheten att skapa en ny plattform av produkter baserade på ISis innovation av Z-RAM som kommer att hjälpa oss att bibehålla och öka vår ledarställning på minnesmarknaden", säger Sung-Joo Hong, vice-vd för Hynix FoU-enhet. "Hynix beslut att samarbeta med ISi är ytterligare bevis på styrkan och det kommersiella värdet hos vår Z-RAM-minnesteknik, särskilt eftersom Hynix är en dominerande aktör på minneskretsmarknaden och företagets produkter används i en enorm mängd av elektroniksystem, inkluderande persondatorer, servrar, arbetsstationer, grafikkort, liksom handhållen utrustning, såsom mobiltelefoner, MP3-spelare och digitalkameror. Minneskretsar byggda med ISis Z-RAM-teknik kommer att vara mycket mindre och billigare att tillverka. Vi ser fram emot att samarbeta med Hynix kring företagets nästa generation av DRAM-kretsar, och att ge enorma prestanda- och användbarhetsfördelar till slutanvändarna", anmärker Mark-Eric Jones, ISis vd. "Vi ser detta som en viktig milsten för ISi och Hynix. Z-RAM kommer att ha avgörande betydelse för det sätt på vilket DRAM-kretsar konstrueras och tillverkas. Eftersom DRAM-industrin sålde produkter för mer än 33 miljarder dollar under 2006 kommer denna utveckling i sin tur att påverka elektronikindustrin som helhet", kommenterar Jeff Lewis, vice marknadschef hos Isi Z-RAMs minnesbitcell med en transistor är möjlig tack vare användningen av den s k FB-effekten (Floating Body Effect) som återfinns i kretsar tillverkade på SOI-(kisel-på-isolator)-skivor. Dessutom, eftersom Z-RAM drar fördel av en naturligt förekommande SOI-effekt, kräver Z-RAM inga exotiska processförändringar för att bygga kondensatorer eller andra komplexa strukturer inom minnesbitcellen.
Annons
Annons
Visa fler nyheter
2019-06-17 21:26 V13.3.21-1