Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Komponenter | 08 december 2008

Världens första supraledande FET-transistor

Schweiziska forskare har skapat världens första supraledande FET-transistor. Detta är första steget mot superdatorer med mycket höga klockhastigheter, som verkar i närheten av den absoluta nollpunkten.

Världens första supraledande FET-transistor är konstruerad, och det ger på längre sikt möjlighet att bygga upp en mycket snabb, supraledande processor. Den måste dock ner så lågt i temperatur som till 0,3 Kelvin innan den fungerar, men då kommer klockfrekvens också kunna ökas kraftigt utan att skada processorn. Forskare från Genève i Schweiz lyckades förra året bygga en kristall med två metalloxider, strontiumtitanat och lantanaluminat, som separata moduler. I övergången mellan de två skikten uppstår ett moln av elektroner, som blir supraledande när temperaturen sänks till 0,3 Kelvin. Nyligen har forskarna lyckats skapa en grind i övergången mellan de två skikten, som öppnar och stänger supraledningen i transistorns source- och drain-anslutningar, när den elektriska spänningen varieras. Normalt begränsas FET-transistorers hastighet av den elektriska resistansen i kanalen mellan source och drain, som leder till uppvärmning varje gång transistorn växlar läge. Transistorn skadas när växlingshastigheten blir för hög, men när kanalen blir supraledande faller motståndet bort och hastigheten kan ökas betydligt. I den nya transistorn fungerar lantanaluminat-lagret som source-drain-kanal, medan strontiumtitanat-skiktet har rollen som gate. När den elektriska fältstyrkan ökas på gaten, pressas det supraledande elektronmolnet bort från kanalen som blir isolerande.
Annons
Annons
Visa fler nyheter
2019-08-21 15:49 V14.1.4-2