Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Komponenter | 05 februari 2010

TranSiC slutför utveckling av kraftmoduler i kiselkarbid

TranSiC har med framgångsrikt resultat slutfört ett tre års långt utvecklingsprojekt som stöttats av Vinnova och Energimyndigheten.

Projektet har bestått av tre deltagare: TranSiC AB, KTH ICT skolan och Acreo AB. Projektets huvudsakliga målsättning har varit att konstruera och tillverka transistorer och moduler för att möjliggöra energieffektiva och kompakta kraftelektroniksystem. Typiska applikationer för dessa enheter och moduler återfinns i kommande hybridfordon. Ett av resultaten av projektet är en högteknologisk 1200V kraftmodul i kiselkarbid, vilken består av sex BitSiC krafttransistorer och sex dioder. Modulen visar på teknikledande prestanda med ett framspänningsfall på endast 1,15V vid 100 A vid rumstemperatur. Vid en temperatur på 150°C, uppvisar TranSiC:s kraftmodul fortfarande låga förluster med ett framspänningsfall på 1,75V vid 100 A. Jämförbar specifik resistans för modulen är 3,1 mΩcm2 vid 25 ̊C. “Dessa resultat visar att TranSiC har den nödvändiga kompetensen och förmågan, som krävs för att designa och tillverka enheter i kiselkarbid med mycket hög prestanda. Med låga förluster och god spänningstålighet, har bipolära transistorer i kiselkarbid en mycket god möjlighet att bli en standardlösning för högeffektsapplikationer”, säger Mats Reimark vd för TranSiC då han reflekterar över de presenterade resultaten.
Annons
Annons
Visa fler nyheter
2019-08-06 20:55 V14.1.1-1