Cypress i avtal med Infineon och Micron

CellularRAM-minnena ska möta de ökade kraven på minneskapacitet och bandbredd i kommande 2.5G och 3G-mobiltelefoner. De nya minnena kostar mindre per bit än dagens lösningar och är benkompatibla med SRAM-minnen. De har låg strömförbrukning, kräver ingen yttre refresh och är dessutom rena drop-in ersättningar för de asynkrona lågeffekts-SRAM som används i dagens mobiltelefonkonstruktioner. Avsikten med samarbetet är att erbjuda kunder pinn- och funktionskompatibla produkter från flera leverantörer baserade på en gemensamt framtagen CellularRAM-specifikation. De tre företagen kommer att konstruera och tillverka produkterna enligt sina egna konstruktions- och processteknologier. CellularRAM:s utrymmesbesparande DRAM-teknik med 1 transistor per cell (1T) har betydande fördelar jämfört med konventionella SRAM med 6 transistorer (6T) per cell. Klockfrekvensen hos CellularRAM är 108 MHz, den initiala latenstiden 60 ns, och bandbredden 216 Mbyte/s (1,6 Gbit/s). De nya minnena har Intel W18- och Micron Flash burst-kompatibla protokoll och olika I/O-spänningsalternativ. Infineon och Micron kommer att introducera flera CellularRAM-produkter under de närmaste 12 månaderna. Den första är ett 32 Mb-minne organiserat som 2M × 16 och som väntas bli tillgängligt mot slutet av året. Ett 16 Mb- och ett 64 Mb-minne organiserade som 1M × 16 respektive 4M × 16, kommer kort därefter. Alla tre företagen samarbetar om definitionen för nästa generation av CellularRAM-familjen, ett 128 Mb-minne, som ska finnas i provkvantiteter under andra halvåret 2003.