Aspocomp först i Europa med bondkemiprocess

5G, autonom körning, molntjänster och andra avancerade applikationer är på framfart. Dessa kräver allt högre frekvenser, som i sin tur ställer andra krav på mönsterkortets kopparyta. Ytans ojämnhet är en kritisk punkt för vidhäftningen när mönsterkortet befinner sig i lamineringsprocessen, där lager av kopparfoliet pressas, eller ”bondas”, samman i en press. När det kommer till likström och lågfrekvent växelström har det enligt den finska mönsterkortstillverkaren Aspocomp inte spelat någon roll hur ojämn ytan är. Nu när de ovanstående framtidsteknologierna tar fart och för med sig betydligt högre frekvenser än tidigare kan ojämnheten på kopparytan leda till signalförluster. Frekvenserna i fråga är kort uttryckt i behov av en jämnare yta. För detta har mönsterkortstillverkaren nyligen installerat en så kallad oxidersättare från Atotech. Utrustningen är placerad efter etsningen av mönsterkortets lager i produktionsprocessen och involverar en patenterad kemisk process (BondFilm EX) som gör att man i stort sett kan ”äta kakan och ha den kvar”. – Kemin gör att ytan blir jämnare utan att vidhäftningen går förlorad, säger Silo Hallberg, Technical Sales Engineer på Aspocomp, till Evertiq. Och det här är en teknik som Aspocomp säger att man nu är först i Europa med att implementera. I dagsläget används den nya utrustningen parallellt med den gamla. Men på sikt finns en tanke om att den nya linan helt ska ersätta den gamla. Hur påverkar detta er konkurrensmässiga ställning? – I och med att vi har den här processen och kemin i vår fysiska anläggning kan vi få ut bättre prestanda ur det dyrbara basmaterialet, vilket i sin tur ger oss en konkurrensfördel. När behovet av bra prestanda, hög hastighet och låg latens till 5G-system dyker upp kan man tänka sig att till exempel telekombolagen vänder sig till oss, säger Ari Beilinson, Vice President Sales and Marketing på Aspocomp, till Evertiq. Utrustningen ingår i ett investeringsprogram på tio miljoner euro tillägnat fabriken i Uleåborg.