Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Komponenter |

IBM hottar upp transistorer med Ge

Germanium(Ge) har bättre ledningsförmåga än Kisel(Si). IBM utvecklar med hjälp av Germanium en teknik som ska göra transistorer betydligt mer effektiva.

IBM hoppas att man, genom användning av Ge, skall kunna reducera mängden läckströmmar man idag har problem med i 90 nm-teknologin. Forskarna på IBM menar att kretsar kan bli upp till tre gånger snabbare utan att andra problem i den integrerade kretsen uppstår. Man har kommit en bra bit på 65 nm-teknologin och så småningom kommer man enligt IBM att kunna ta fram kretsar med linjebredder på 32 nm. Detta väntas dock dröja ca tio år till.

Annons
Annons
Visa fler nyheter
2024-03-28 10:16 V22.4.20-1
Annons
Annons