Komponenter |
Intel först ut med fullt fungerande<br>45nm-kretsar
Intel meddelade i dag att de har lyckats ta fram vad som anses vara den första fullt fungerande kretsen för SRAM byggd på 45-nanometersteknik.
45-nanometers processteknik är nästa generations tillverkningsprocess för halvledare. Den
här framgången betyder att Intel håller sin tidsplan för att tillverka 45-nanometerskretsar på 300-milimeters kiselskivor under 2007. Det visar också på företagets fokus att bibehålla Moore's lag, genom att introducera en ny processgeneration vartannat år.
