Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Komponenter | 08 juni 2009

RF Micro startar GaN-foundry

Vid nästa veckas IEEE MTT-S International Microwave Symposium 2009 i Boston, förväntas RF Micro Devices lansera en foundrytjänst för galliumnitrid och också vissa GaN-baserade diskreta komponenter.

Detta är RF Micros första steg mot foundryverksamhet. Det medför också att företaget hamnar på kollisionskurs med RF-chip rivalen TriQuint Semiconductor. RF Micro, TriQuint och en uppsjö av andra företag konkurrerar på RF-komponentmarknaden. Förra året startade TriQuint sin GaN-foundryverksamhet. Nu blir TriQuint och RF Micro de två största aktörerna i det framväxande GaN-segmentet. Cree Inc. och andra har också planer på att ge sig in i GaN-foundry. ”RF Micro har under en tid utvecklat GaN-komponenter. Framöver kommer företaget att erbjuda både GaN-foundry och diskreta GaN-komponenter”, säger Robert Van Buskirk, vd för Multi-Market Products Group för RF Micro, enligt eetimes.eu.
Annons
Annons
Annons
Annons
Visa fler nyheter
2019-09-15 20:56 V14.3.11-1