Rohm och Infineon ingår nytt halvledarsamarbete
Rohm och Infineon Technologies AG har undertecknat en avsiktsförklaring om att samarbeta kring paket för kiselkarbid (SiC)-krafthalvledare, enligt ett pressmeddelande.
Samarbetet syftar specifikt till att möjliggöra för parterna att agera som andra källor för utvalda paket för SiC-enheter. I framtiden kommer kunder att kunna köpa enheter med kompatibla kapslingar från både Rohm och Infineon. Samarbetet ska säkerställa kompatibilitet och utbytbarhet för att möta specifika kundbehov.
"Vi är glada över att samarbeta med Rohm för att ytterligare påskynda etableringen av SiC-enheter", säger Peter Wawer, divisionschef för Green Industrial Power på Infineon. "Vårt samarbete kommer att ge kunderna ett bredare utbud av alternativ och större flexibilitet i deras konstruktions- och inköpsprocesser, vilket gör det möjligt för dem att utveckla mer energieffektiva applikationer som ytterligare driver på avkarboniseringen."
Samtidigt kommer Infineon att anta Rohms DOT-247-paket med SiC half-bridge-konfiguration för att utveckla ett kompatibelt paket. Det kommer att utöka Infineons nyligen lanserade Double TO-247 IGBT-portfölj till att även omfatta SiC half-bridge-lösningar.
"Vårt samarbete med Infineon utgör ett viktigt steg mot att förverkliga detta mål, eftersom det breddar portföljen av lösningar", säger Kazuhide Ino, styrelseledamot och managing executive officer med ansvar för affärsområdet krafthalvledare på Rohm. "Genom att arbeta tillsammans kan vi driva innovation, minska komplexiteten och öka kundnöjdheten, och därmed forma framtiden för kraftelektronikindustrin."
Som en del av avtalet kommer Rohm att anta Infineons top-side cooling-plattform för SiC, vilket ska underlätta konstruktioner och minska systemkostnader för kylning.
Rohm och Infineon planerar att i framtiden utöka sitt samarbete till att omfatta andra paket med både kisel- och wide-bandgap-baserade kraftteknologier såsom SiC och galliumnitrid (GaN).
