RISE inleder samarbete med Sydkorea kring krafthalvledare
RISE har tecknat ett strategiskt samförståndsavtal med Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC) vid Seoul National University. Avtalet syftar till att gemensamt utveckla nästa generations krafthalvledarteknologier i takt med att den globala elektrifieringen accelererar.
Genom partnerskapet ska organisationerna stärka forskning och utveckling av högeffektiva och högpålitliga komponenter för bland annat elfordon, förnybar energi, datacenter, järnvägssystem och flyg. Samarbetet fokuserar på krafthalvledare baserade på kiselkarbid (SiC) och galliumnitrid (GaN), två material med snabbt växande efterfrågan internationellt.
– Nu kombinerar vi våra forsknings- och utvecklingsstyrkor för att göra ett konkret bidrag till att lösa de centrala utmaningarna för framtidens elektrifierade industrier, säger Björn Samel, avdelningschef för Smart hårdvara på RISE i ett pressmeddelande.
Även från sydkoreanskt håll betonas avtalets långsiktiga betydelse. Professor Sang-Won Yoon vid Seoul National University framhåller att samarbetet kan breddas över tid.
– Vi ser fram emot ett nära samarbete genom denna möjlighet och hoppas att vi kan utöka vårt samarbete bortom sammansatta halvledare till olika halvledarområden, säger professor Sang-Won Yoon från institutionen för elektroteknik och datorteknik vid Seoul National University.
Den globala elektrifieringstrenden – driven av ökningen av elfordon, integrering av förnybar energi och växande energibehov i hyperskaliga datacenter – har gjort krafthalvledare till en strategiskt viktig teknologi. Komponenter baserade på SiC och GaN lyfts fram som centrala för att minska energiförluster och förbättra systemeffektivitet, och anses nu utgöra en del av den framtida industriella infrastrukturen.
Samarbetet mellan RISE och ISRC ligger även i linje med den sydkoreanska regeringens satsningar på en hyperinnovativ ekonomi, särskilt inom utveckling av material och komponenter för krafthalvledare.