Infineon får rätt i amerikansk patenttvist mot Innoscience
Den amerikanska handelskommissionen ITC har funnit att Innoscience gjort intrång i ett av Infineons patent som rör galliumnitrid (GaN).
Beslutet gäller ett av två patent som Infineon Technologies AG hävdat har kränkts i en pågående process inför USA:s International Trade Commission (ITC). Kommissionen slog även fast att båda de aktuella patenten är giltiga.
Fallet rör påstått obehörig användning av Infineons patenterade GaN-teknologier i Innosciences produkter. Enligt Infineon kan beslutet, om det står fast, leda till ett importförbud för de berörda produkterna till USA. Handelskommissionens slutliga beslut väntas tas den 2 april 2026.
– Detta beslut är ytterligare ett bevis på styrkan i Infineons immateriella rättigheter och bekräftar vårt åtagande att kraftfullt försvara vår patentportfölj mot intrång och säkerställa rättvis konkurrens på marknaden, säger Johannes Schoiswohl, Senior Vice President och chef för Infineons affärsområde GaN Systems, i ett pressmeddelande.
Infineon beskriver beslutet som ytterligare ett positivt steg i bolagets rättsliga processer kring GaN-teknologi. I ett parallellt förfarande i Tyskland har den tyska patentmyndigheten nyligen bekräftat giltigheten för ett annat Infineon-patent, som nu prövas vid Landgericht München I. Redan i augusti 2025 fann samma domstol att Innoscience gjort intrång i ytterligare ett Infineon-patent.