EU-initiativet FAMES Pilot Line invigt

FAMES Pilot Line (Fully Depleted SOI and Advanced Memory for European Semiconductors) är ett EU-finansierat initiativ som syftar till att utveckla nästa generations energieffektiva halvledarteknologier i Europa. Den nya anläggningen omfattar cirka 2 000 kvadratmeter renrumsyta med två källarplan där takhöjden på fem meter möjliggör installation av stora maskiner. Särskilda reservkraftsystem ska säkerställa oavbruten drift.

Verksamheten fokuserar på FD-SOI-teknik (Fully Depleted Silicon-On-Insulator), 3D-integration och inbäddade minnen samt effekthanteringskretsar (Power Management ICs) för att stärka Europas oberoende inom halvledarproduktion. Kretsarna tillverkas på 300-mm-kiselwafer. Invigningen av pilotanläggningen samlade över 350 deltagare och markerade öppnandet av den utbyggda renrumsmiljön vid CEA-Letis anläggning i Grenoble.

– De tekniker som utvecklas inom FAMES är avsedda att stödja framtida generationer av FD-SOI-chip under 10 nanometer och möjliggöra högpresterande, energieffektiva komponenter för Europa, säger Jean-René Lèquepeys, biträdande direktör och teknisk chef (CTO) vid CEA-Leti, i ett pressmeddelande.

Anläggningen fungerar som en öppen test- och utvecklingsmiljö och gör tekniken tillgänglig för bland annat europeiska startupbolag, små och medelstora företag, industrikoncerner och forskningsorganisationer som vill ta fram prototyper, kvalificera och riskminimera avancerad halvledarteknik.

FAMES fokuserar även på fullt fungerande 3D-integrerade CMOS-komponenter som tillverkas vid låg processtemperatur, vilket möjliggör tätare chiparkitekturer. Syftet är att minska risker och korta vägen från forskning till industriell produktion.

Förstärkning av Europas ’teknologiska suveränitet’

Den nya renrumsutbyggnaden rymmer över 80 avancerade 300-mm-processverktyg och är optimerad för energieffektiv drift. Projektet finansieras med totalt 830 miljoner euro genom EU:s Chips Act och deltagande medlemsländer. Målet är att minska tiden mellan forskning och industrialisering, samtidigt som Europas teknologiska självständighet inom halvledare stärks, skriver FAMES.

– En skalning av FD-SOI till 10 och 7 nanometer ger betydande förbättringar i täthet, energiförbrukning, hastighet och radiofrekventa egenskaper jämfört med dagens teknologinoder, säger Lèquepeys.

Med den nya tekniken siktar FAMES på att stärka Europas kapacitet inom halvledare för strategiska områden som fordon, telekom, AI, rymd och cybersäkerhet.