Power Integrations lanserar 2200 V GaN-teknik för AI-datacenter och kraftsystem
Power Integrations har presenterat en ny galliumnitridbaserad (GaN) teknik som enligt bolaget når en spänningsnivå på upp till 2200 volt. Den nya PowiGaN-tekniken är utvecklad för högspänningsapplikationer inom bland annat AI-datacenter, elfordon, solenergi och HVDC-infrastruktur.
Enligt det amerikanska halvledarföretaget Power Integrations överstiger den nya tekniken spänningsnivån hos andra kommersiellt tillgängliga GaN-lösningar och är framtagen för att möta ökande krav på högre effekttäthet, effektivare energikonvertering och enklare systemarkitekturer. Tekniken öppnar enligt bolaget för användning av GaN i områden där kiselkarbid (SiC) tidigare haft en stark position.
– Vår 2200 V PowiGaN-teknik ger betydande spänningsmarginaler för framtidens högspänningssystem samtidigt som den möjliggör de höga switchfrekvenser som krävs för att maximera effekttätheten, säger Jennifer Lloyd, vd för Power Integrations, i ett pressmeddelande.
Enligt bolaget är en viktig tillämpning nästa generations AI-datacenter, där branschen utvecklar lösningar med högre spänningsnivåer i distributionssystemen. Power Integrations pekar även på framtida användning inom elfordon, solcellsinvertrar och energilagringssystem.
GaN-baserade effektswitchar används i allt större utsträckning inom kraftkonvertering tack vare högre effektivitet och högre switchfrekvenser jämfört med traditionella kisellösningar. Hittills har dock spänningsbegränsningar gjort att GaN haft svårare att konkurrera med exempelvis kiselkarbid (SiC) i de mest högspända applikationerna.
Power Integrations uppger att PowiGaN-kretsar med spänningsklassning på 1700 volt redan utvecklas för hjälpkraftsystem i datacenter, medan 1250-voltslösningar kan användas i 800 VDC-baserade datacenterarkitekturer. Den nya 2200-voltsvarianten ska möjliggöra ännu högre spänningsnivåer i framtida system.
Utvecklingen sker samtidigt som AI-datacenter går mot högre effektbehov och mer avancerade kraftarkitekturer. Enligt Power Integrations kan den nya GaN-tekniken bidra till lösningar för framtida 1500-volts distributionssystem inom datacenter och elfordon.
– Skiftet mot 800 VDC-baserade arkitekturer i AI-datacenter håller på att förändra marknaden för effekthalvledare. En GaN-teknik med 2200 volts spänningsklassning kan ge större utrymme för framtida systemarkitekturer och öppna nya användningsområden för GaN, säger Roy Dagher, teknik- och marknadsanalytiker inom kiselkarbid och sammansatta halvledare vid Yole Group.
Power Integrations utvecklar halvledarteknik för högspänd kraftkonvertering och har produkter som används inom bland annat förnybar energi, AI-datacenter, elfordon och högspänd likström (HVDC).
