Samsung först ut med DDR4

Modulen kan uppnå dataöverföringshastigheter på 2,133 gigabit per sekund (Gbps) vid 1.2V, jämfört med 1.35V och 1.5V för DDR3 på motsvarande 30 nm processteknik med hastigheter upp till 1.6Gbps. Inbyggd i en dator så ska den enligt Samsung minska strömförbrukningen med 40% jämfört med en 1.5V DDR3-modul. Modulen använder sig av Pseudo Open Drain (POD), en ny teknik som har anpassats till högpresterande grafikminnen. Denna gör att DDR4 konsumerar 50 procent ström av vad DDR3 gör vid läsning och skrivning av data, enligt Samsung. Genom att använda en ny kretsarkitektur kommer DDR4 att kunna klara av att köra från 1,6 upp till 3.2 Gbps, jämfört med dagens hastigheter på 1.6Gbps för DDR3 och 800 Mbps för DDR2. Samsung planerar nu samarbeten med ett antal servertillverkare för att uppnå JEDEC-standardisering av DDR4 under året.