Komponenter |
Samsung startar massproduktion av 30nm 32GB-moduler
Samsung Electronics CO., Ltd. Ska påbörja massproduktionen av 32 gigabytes (GB) minnes-moduler genom att använda 30 nanometers (nm) 4 gigabits (Gb) DDR3 DRAM-chip.
”Med den här modulen har Samsung säkrat den högsta nivån av konkurenskraft inom produkter och lösningar i DRAM-marknaden för PC, server och mobila applikationer, säger Wanhoon Hong, executive vice president, memory sales & marketing, Samsung Electronics.
Han berättar också att planerna är att de ska kunna leverera mer energi-effektiva 4Gb DDR3 DRAM som baseras på 20nm-klassen. Detta under senare delen av året.
Produktionen av 4Gb DDR3 DRAM baserade på 30nm-klassen startade i februari. Det är bara ett år efter att man påbörjade produktionen i 4Gb DDR3 DRAM 40nm-klassen.
