Ascatron byter fokus – från tjänsteleverantör till produktföretag

Ascatron lanserar nu en nästa generations halvledare i SiC med hjälp av sin egenutvecklade 3DSiC-teknik. SiC reducerar radikalt förluster i elektriska omvandlare och sänker systemkostnaderna, vilket är viktiga aspekter i kraftlösningar till elfordon och förnybar energi. Ascatron, med bakgrund i att producera avancerat SiC epi-material för globala kunder, har nyligen omvandlats från en tjänsteleverantör till ett produktföretag. De första komponenterna som finns tillgängliga för kundtestning är dioder med klassningen 1200 V, 1700 V och 10 kV. MOSFET-omkopplare är under utveckling och kommer enligt Ascatron att introduceras under 2018. – Vi har utvecklat en unik materialteknik som gör det möjligt att fullt ut utnyttja SiC:s potential för att hantera mycket hög effekt med minimala förluster, samtidigt som kiselsäkerheten upprätthålls. Vi kallar tekniken 3DSiC och bygger på vår expertis inom produktion av avancerat SiC epitaxmaterial. Tekniken har potential att sänka förlusterna med upp till 30 procent jämfört med konventionella lösningar, säger Adolf Schöner, teknikchef på Ascatron. Enligt företaget möjliggör 3DSiC-tekniken en modulär design av Ascatrons produktlinje. Varje enhet är uppdelad i en högspänningsmodul relaterad till önskad spänningsklass och en lågspänningsdel för varje typ av komponent. Kombinationen av olika moduler ger möjligheter till ett brett produktutbud. – Vårt affärsmål är att vara mycket pålitlig och innovativ leverantör av SiC-halvledare för kraftelektronik inom industri, fordon och energi. Vi förutser en period av teknikändring när vi går från kisel till SiC och tar sikte på att delta i en sådan industrikonsolidering, säger Christian Vieider, vd för Ascatron. Ascatron kommer även fortsättningsvis att stödja kunder med en småskalig tillverkning av avancerat SiC epi-material.