Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
© dmitriy shironosov dreamstime.com Komponenter | 05 oktober 2017

GaN Systems tecknar MoU med Taiwan

Kanadensiska GaN Systems har tecknat en avsiktsförklaring (MoU) med Taiwans ekonomiministerium MOEA om ett samarbete som syftar till att stÀrka de ekonomiska och tekniska fördelarna med GaN-tekniken hos Taiwans elektronikföretag. I somras fick företaget Àven finansiering i form av riskkapital frÄn den tyska biljÀtten BMW.
Halvledare i galliumnitrid har pÄ senare Är och i accelererande takt uppvisat förbÀttringar nÀr det gÀller att kunna arbeta vid allt högre frekvenser och ökad effekttÀthet samt vid högre temperaturer med förbÀttrad linjÀritet och effektivitet. Dock genererar GaN-tekniken högre produktionskostnader Àn de allt billigare kraftkomponenterna i kisel. Komponenter i galliumnitrid Àr dock att föredra i vissa krafttillÀmpningar dÄ materialet ger lÀgre förluster jÀmfört med kisel.

GaN Systems, som med sina krafttransistorer och dioder i galliumnitrid rankas som ett av vĂ€rldens ledande GaN-komponentföretag, har tecknat ett MoU-avtal (Memorandum of Understanding) med Taiwan’s Ministry of Economic Affairs (MOEA). Statliga MOEA har en övervakande funktion av landets elektronikindustri. Avsikten Ă€r att stĂ€rka Taiwans elektronikföretag samtidigt som MOEA kommer hjĂ€lpa GaN Systems att utvidga sin verksamhet och representation i landet.

– Eftersom Taiwan spelar en framtrĂ€dande roll inom den asiatiska elektronikindustrin Ă€r vi glada att förse GaN Systems med resurserna för att fortsĂ€tta sin framgĂ„ng tillsammans med vĂ„ra ledande tillverkare. Denna avsiktsförklaring förstĂ€rker banden mellan GaN Systems och Taiwans elektronikindustri, sĂ€ger Mei-Hua Wang, vice minister pĂ„ MOEA.

– GaN Systems Ă€r mycket glada att samarbeta med Taiwans MOEA. Vi ser detta som en viktig demonstration av hur företag och regeringar kan arbeta tillsammans för att förstĂ€rka partnerskap mellan branschledare och över branschsegment, sĂ€ger GaN Systems vd Jim Witham.

Inga ytterligare detaljer om avtalet framgÄr i pressmeddelandet frÄn GaN Systems.

BMW i Ventures investerar i GaN Systems

GaN Systems tillkÀnnagav i somras ocksÄ stÀngningen av en investeringsrunda som letts av BMWs investeringdel BMW i Ventures. Investeringen kommer att anvÀndas för att utöka den globala försÀljningen och pÄskynda ny produktutveckling. BMW i Ventures förenar de befintliga investerarna BDC Capital, Chrysalix Venture Capital, Cycle Capital Management, RockPort Capital och Tsing Capital.

– GaN Systems krafttransistorer har skapat nya möjligheter för ingenjörer att bygga den kraftelektronik som behövs i dagens system. Galliumnitridbaserade transistorer har enligt min mening blivit nĂ€sta stora steg mot miniatyrisering. Vi har sett system som Ă€r ÂŒ sĂ„ stora och ger bĂ€ttre effektivitet Ă€n traditionella kiselbaserade alternativ. Med GaN kan alla system som behöver kraft bli mindre, lĂ€ttare och effektivare. Dessa möjligheter Ă€r sĂ€rskilt relevanta för fordonsbranschen, sĂ€ger Uwe Higgen, vd för BMW i Ventures.

Med autonoma bilar kommer det enligt BMW i Ventures att finnas behov av att massivt skala infrastrukturen i datacenters. Datacenterets energiförbrukning Àr en av de största orsakerna till ökande kostnader och en ökad effektivitet i kraftomvandlingen kommer att stÄ för miljarder dollar i kostnadsbesparingar.

I pressmeddelande frÄn i juli i Är uppgav inga summor eller ytterligare detaljer.
Annons
Annons
Annons
Annons
Visa fler nyheter
2018-12-13 13:08 V11.10.14-2