GaN Systems tecknar MoU med Taiwan

Halvledare i galliumnitrid har på senare år och i accelererande takt uppvisat förbättringar när det gäller att kunna arbeta vid allt högre frekvenser och ökad effekttäthet samt vid högre temperaturer med förbättrad linjäritet och effektivitet. Dock genererar GaN-tekniken högre produktionskostnader än de allt billigare kraftkomponenterna i kisel. Komponenter i galliumnitrid är dock att föredra i vissa krafttillämpningar då materialet ger lägre förluster jämfört med kisel. GaN Systems, som med sina krafttransistorer och dioder i galliumnitrid rankas som ett av världens ledande GaN-komponentföretag, har tecknat ett MoU-avtal (Memorandum of Understanding) med Taiwan’s Ministry of Economic Affairs (MOEA). Statliga MOEA har en övervakande funktion av landets elektronikindustri. Avsikten är att stärka Taiwans elektronikföretag samtidigt som MOEA kommer hjälpa GaN Systems att utvidga sin verksamhet och representation i landet. – Eftersom Taiwan spelar en framträdande roll inom den asiatiska elektronikindustrin är vi glada att förse GaN Systems med resurserna för att fortsätta sin framgång tillsammans med våra ledande tillverkare. Denna avsiktsförklaring förstärker banden mellan GaN Systems och Taiwans elektronikindustri, säger Mei-Hua Wang, vice minister på MOEA. – GaN Systems är mycket glada att samarbeta med Taiwans MOEA. Vi ser detta som en viktig demonstration av hur företag och regeringar kan arbeta tillsammans för att förstärka partnerskap mellan branschledare och över branschsegment, säger GaN Systems vd Jim Witham. Inga ytterligare detaljer om avtalet framgår i pressmeddelandet från GaN Systems. BMW i Ventures investerar i GaN Systems GaN Systems tillkännagav i somras också stängningen av en investeringsrunda som letts av BMWs investeringdel BMW i Ventures. Investeringen kommer att användas för att utöka den globala försäljningen och påskynda ny produktutveckling. BMW i Ventures förenar de befintliga investerarna BDC Capital, Chrysalix Venture Capital, Cycle Capital Management, RockPort Capital och Tsing Capital. – GaN Systems krafttransistorer har skapat nya möjligheter för ingenjörer att bygga den kraftelektronik som behövs i dagens system. Galliumnitridbaserade transistorer har enligt min mening blivit nästa stora steg mot miniatyrisering. Vi har sett system som är ¼ så stora och ger bättre effektivitet än traditionella kiselbaserade alternativ. Med GaN kan alla system som behöver kraft bli mindre, lättare och effektivare. Dessa möjligheter är särskilt relevanta för fordonsbranschen, säger Uwe Higgen, vd för BMW i Ventures. Med autonoma bilar kommer det enligt BMW i Ventures att finnas behov av att massivt skala infrastrukturen i datacenters. Datacenterets energiförbrukning är en av de största orsakerna till ökande kostnader och en ökad effektivitet i kraftomvandlingen kommer att stå för miljarder dollar i kostnadsbesparingar. I pressmeddelande från i juli i år uppgav inga summor eller ytterligare detaljer.