© Ascatron
Elektronikproduktion |
Svenska Ascatron får finansiering för egen SiC produktutveckling
Ascatron AB har säkrat finansiering om 3,5 miljoner euro (36,9 miljoner kronor) och kommer att upprätta volymproduktion av sina Silicon Carbide Power-dioder och MOSFETs (metal oxide semiconductor field effect transistor).
Ascatron utvecklar högkvalitativa halvledare av kiselkarbid (SiC) med hjälp av sin proprietära 3DSi-teknik. SiC reducerar radikalt förluster i elomvandlare och sänker systemkostnaderna, vilket gör det till nyckelteknik för många applikationer som elfordon och förnybar energi.
Ascatron slutförde nyligen försäljningen av sina aktier i ett joint venture-bolag i Kina och säkerställde genom det 3,5 miljoner euro för att fortsätta den självständiga utvecklingen av egna produkter. Tillverkningsprocessen för volymproduktion av SiC-effektdioder och MOSFETs är etablerad hos ett Automotive-kvalificerat SiC-gjuteri.
De första 3DSiC-enheterna som är tillgängliga för inbyggda projekt med kunder är 1200V och 1700V JBS-dioder. Produktionsprocessen förväntas vara kvalificerad under fjärde kvartalet 2019 och MOSFETs kommer att vara redo för produktion under andra kvartalet 2020.
Ascatrons utveckling och materialproduktion är belägen i Stockholm, Sverige.