Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
© STMicroelectronics Komponenter | 28 juli 2021

200 mm kiselkarbidskivor tillverkas nu i Norrköping

STMicroelectronics meddelar att man tillverkat de första 200 mm kiselkarbidskivorna (SiC) för prototyping av nästa generations kraftenheter vid sin anläggning i Norrköping, Sverige

Övergången till 200 mm SiC-skivor beskrivs som en viktig milstolpe i kapacitetsuppbyggnaden för STs kundprogram inom fordons- och industrisektorn. Bolagets första 200 mm SiC-skivor sägs också ha en av mycket hög kvalitet, med minimala kristallförskjutningsfel. Här pekar man på den expertis som byggts upp vid anläggningen samt SiC-teckonlogin som utvecklats av STMicroelectronics Silicon Carbide AB (det vill säga gamla Norstel AB, som ST förvärvade 2019) som den bakomliggande anledningen till den låda defektgraden, går det att läsa i ett pressmeddelande. Förutom att möta kvalitetsutmaningen kräver övergången till 200mm SiC-substrat ett kliv framåt i tillverkningsutrustning. ST utvecklar i samarbete med sina partners sin egen tillverkningsutrustning och processer. ST tillverkar för närvarande sina STPOWER SiC-produkter vid två 150-mm-linor vid fabrikerna i Catania i Italien och Ang Mo Kio i Singapore, man utför montering och testning på sina backend-platser i Shenzhen i Kina och Bouskoura i Marocko. – Övergången till 200 mm SiC-skivor kommer att medföra stora fördelar för våra fordons- och industrikunder eftersom de påskyndar övergången mot elektrifiering av sina system och produkter, säger Marco Monti, President Automotive and Discrete Group, STMicroelectronics, i pressmeddelandet.
Annons
Annons
2021-09-24 13:56 V18.23.2-1