Infineon stämmer Innoscience för patentintrång
Tyska Infineon Technologies har lämnat in en stämningsansökan i USA mot Kinas Innoscience gällande patentintrång.
Infineon menar i stämningsansökan att Innoscience för intrång på ett patent som täcker bolagets galliumnitrid-teknologi.
Adam White, vd för Infineons Power & Sensor Systems Division, säger i ett pressmeddelande att Infineon kommer att skydda sin immateriella egendom och att man agerar därför i kunders och slutanvändares intresse.
Han pekar på att tillverkningen av krafttransistorer av galliumnitrid kräver helt nya halvledardesigner och -processer, och att Infineon har investerat i FoU, produktutveckling och tillverkningsexpertis relaterad till GaN-teknik i decennier. Därför kommer Infineon att fortsätta att försvara sin immateriella egendom och skydda sina investeringar.
Under slutet av oktober förra året avslutade Infineon förvärvet av GaN Systems, ett förvärv som cementerade det tyska bolagets position inom krafthalvledare. Marknadsanalytiker på Yole räknar med att GaN-intäkterna för krafttillämpningar kommer att växa med 49 procent CAGR till cirka 2 miljarder dollar fram tills till 2028.
