SweGaN får investering från sydkoreanska RFHIC
Den svenska halvledartillverkaren SweGaN meddelar att man har ingått ett strategiskt partnerskap med sydkoreanska RFHIC Corporation där SweGan kommer att få en icke offentliggjord kapitalinvestering från RFHIC.
Under det senaste decenniet har SweGaN utvecklat och producerat högpresterande GaN-on-SiC epitaxiella lösningar för RF- och kraftenheter som kan användas i olika applikationer såsom 5G-telekommunikationsinfrastruktur, försvars radar, satellitkommunikation, EV ombord laddare och datacenter. RFHIC specialiserar sig på design och tillverkning av GaN RF- och mikrovågshalvledare för kommunikations- och försvarsapplikationer.
Investeringen från RFHIC ska ses som ett kvitto på att SweGaNs QuanFINE epitaxiella lösningar sticker ut som ett alternativ till andra GaN-on-SiC-material som finns tillgängliga på marknaden. I samarbetet med RFHIC får SweGaN nu ytterligare resurser för att påskynda produktutveckling och marknadspenetration.
För RFHIC syftar partnerskapet med SweGaN till att stärka det sydkoreanska bolagets leveranskedja för halvledare av galliumnitrid, samt ytterligare stärka konkurrenskraften för RF- och mikrovågsprodukter inom halvledarare, det framgår av ett pressmeddelande.
– Med den ökande efterfrågan på högpresterande halvledarmaterial för att driva en mängd applikationer samt för att öka effektiviteten i en energimedveten värld så kommer den nya kapitalinvesteringen att stödja SweGaNs kapacitetsexpansionsplan för sina marknadsledande GaN-SiC epitaxiella wafers och gynna gemensamma produktutvecklingar tillsammans med RFHIC, säger Jr-Tai Chen, vd och grundare av SweGaN, i ett pressmeddelande.
För att möta en växande efterfrågan planerar SweGaN att snabbt öka sin interna tillverknings- och FoU-kapacitet. Det svenska bolaget menar att partnerskapet med RFHIC också öppnar nya dörrar som kan stärka SweGaNs position inom flera geografiska områden. SweGaN och RFHIC planerar att initiera ny produktutveckling för en mängd olika marknader.
