Nexperia satsar miljarder i Tyskland
Nexperia planerar att investera 200 miljoner dollar, eller 2,1 miljarder kronor, för att bygga ut sin halvledarfabrik i Hamburg, Tyskland. Satsningen kommer att tillåta Nexperia att tillverka kraftkomponenter på kiselkarbid och galliumnitrid, utöver kisel.
Nexperia siktar på att utveckla nästa generation av bredbandshalvledare (WBG) såsom kiselkarbid (SiC) och galliumnitrid (GaN), samt att bygga ut produktionsinfrastrukturen vid sin anläggning i Hamburg. Samtidigt som man gör denna satsning kommer produktionskapaciteten för kiseldioder och transistorer att ökas.
För att möta den växande efterfrågan på kraftkomponenter, kommer alla tre teknologier – SiC, GaN och Si – att utvecklas och produceras i Tyskland med start i juni 2024.
De första produktionslinorna för GaN D-Mode transistorer och SiC-dioder startade redan i juni 2024. Nästa steg kommer att vara 200 mm produktionslinor för SiC MOSFETs och GaN HEMTs. Målet är att ha dessa på plats inom de kommande två åren.
Samtidigt säger Nexperia att investeringen kommer att hjälpa till att ytterligare automatisera den befintliga infrastrukturen vid anläggningen och öka kiselproduktionskapaciteten genom att uppgradera denna till 200 mm wafers. Efter utökningen av renrumsutrymmet byggs även nya utrymmen för F&U.
