Nya landvinningar inom EUV
Resultat från Imec och ASML:s laboratorium bekräftar att High NA EUV-patterning är redo för kretsar av logik- och DRAM-typ. Det meddelar Imec i ett pressmeddelande.
I sitt gemensamma litografilaboratorum i Veldhoven, Nederländerna har det belgiska forskningsinstitutet Imec tillsammans med nederländska litografitillverkaren ASML lyckats skapa linjer med bredden 9,5 nanometer. Detta visar att den nya tekniken uppfyller kraven för produktion av kretsar i den framtida 1,4-nanometersklassen med en enda litografisk exponering.
För demonstrationen användes ett förproduktionsexemplar av ASML:s High NA-scanner Twinscan EXE:5000, som beräknas ha ett värde på 400 miljoner dollar.
Med High NA EUV-utrustning ämnar ASML minska antalet litografiska processteg, då tillverkningen med EUV är mer energikrävande än föregångaren DUV (deep ultraviolet). En mer avancerad krets fordrar dock ett större antal processteg, trots färre litografisteg.
Demonstrationerna möjliggör också för foundries att utveckla sina egna processer med hjälp av utrustningen. Intel och Samsung spås bli först ut med tekniken för logik, medan Samsung, SK Hynix och Micron tros bli först att använda den för minnestillverkning.