Infineons genombrott: 300 millimeter GaN
"...genombrottet är en game-changer, och ger oss tillgång till galliumnitridets fulla potential”, säger Jochen Hanebeck, vd för Infineon Technologies.
Tyska kraftelektronikspecialisten Infineon uppger i ett pressmeddelande att man utvecklat en process för att tillverka kraftelektronik på 300 millimeter stora skivor av galliumnitrid (GaN). Infineon ska ha integrerat en pilotlina för 300 millimeter stora skivor av galliumnitrid i sin existerande verksamhet i Österrike. Galliumnitrid och kiselkarbid har tidigare begränsats till 200 och 150 millimeter stora skivor.
”Denna enastående succé är resultatet av vår innovvativa styrka och det hängivna arbetet från vårt globala team som demonstrerar vår position som innovationsledaren inom GaN och kraftkomponenter. Det teknologiska genombrottet är en game-changer, och ger oss tillgång till galliumnitridets fulla potential”, säger Jochen Hanebeck, vd för Infineon Technologies.
De nya, större skivorna erbjuder möjligheten att tillverka 2,25 gånger fler kretsar per skiva, och färdiga exemplar kommer att visas upp i november under Electronica-mässan München.
Grönare och dyrare
Kretsar av galliumnitrid kan hantera högre spänningar och strömmar till lägre energiförluster än kisel, men till ett betydligt högre pris. Att pressa priserna på galliumnitrid ses därför som en viktig del av den gröna omställningen, då de bidrar till en lägre energiförbrukning. Tillverkning av 300 mm GaN ger Infineon en ledande position inom den växande GaN-marknaden, som beräknas nå flera miljarder dollar inom de kommande åren.
