Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Komponenter | 02 juni 2004

Samsung ner till 70 nm i DRAM

Samsung utvecklar 70 nm DRAM-process med CVD-metoden

Den existerande tekniken för att lägga ledare, PVD(Physical Vapor Deposition), har varit svår att applicera på processer mindre än 90 nm eftersom ytstrukturen inte blivit tillräckligt plan. CVD(Chemical Vapor Deposition) är en, aluminiumbaserad, kemisk process för att applicera ledande metallorganiska ytskikt. CVD löser problemet med den dåliga strukturen samt förbereder också de elektriska egenskaperna till ledningsnätet. Den är dessutom 20% billigare. Samsung räknar med att kunna ha 70 nm DRAM innan året är slut.
Annons
Annons
Annons
Annons
Visa fler nyheter
2019-06-14 15:58 V13.3.21-1