Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Komponenter | 15 september 2004

90 nm i massproduktion

Samsung blir först i halvledarindustrin med masstillverkning av 512 Mb DDR SDRAM i 90 nm-teknologi.
Samsung meddelar att övergången från 0.10 micron till 90 nm kommer att innebära en produktionsökning på 40%. Kretsarna ska produceras på 300 mm skivor och kommer att bli tillgängliga i 400 och 333 MHz-versioner.

Nyckeln till den framgångsrika processen är en kortvågig ljuskälla av Argonfluorid(ArF) som hanterar de fina ledarbredderna, hög dielektrisk Aluminiumhafniumoxid(AHO) inlagd i kondensatorn för att förstärka dess datalagringskaraktär samt Samsungs egen Recessed Channel Array Transistor (RCAT).
Annons
Annons
Annons
Annons
Visa fler nyheter
2018-11-15 17:25 V11.9.0-1