Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Komponenter | 15 september 2004

90 nm i massproduktion

Samsung blir först i halvledarindustrin med masstillverkning av 512 Mb DDR SDRAM i 90 nm-teknologi.
Samsung meddelar att övergången från 0.10 micron till 90 nm kommer att innebära en produktionsökning på 40%. Kretsarna ska produceras på 300 mm skivor och kommer att bli tillgängliga i 400 och 333 MHz-versioner.

Nyckeln till den framgångsrika processen är en kortvågig ljuskälla av Argonfluorid(ArF) som hanterar de fina ledarbredderna, hög dielektrisk Aluminiumhafniumoxid(AHO) inlagd i kondensatorn för att förstärka dess datalagringskaraktär samt Samsungs egen Recessed Channel Array Transistor (RCAT).

Kommentarer

Vänligen notera följande: Kritiska kommentarer är tillåtna och till och med uppmuntrade. Diskussioner är välkomna. Verbala övergrepp, förolämpningar, rasistiska och homofobiska kommentarer är inte tillåtna och sådana inlägg kommer att raderas.
Annons
Annons
Annons
Annons
Visa fler nyheter
2018-09-19 10:20 V10.9.5-2