Komponenter |
90 nm i massproduktion
Samsung blir först i halvledarindustrin med masstillverkning av 512 Mb DDR SDRAM i 90 nm-teknologi.
Samsung meddelar att övergången från 0.10 micron till 90 nm kommer att innebära en produktionsökning på 40%. Kretsarna ska produceras på 300 mm skivor och kommer att bli tillgängliga i 400 och 333 MHz-versioner.
Nyckeln till den framgångsrika processen är en kortvågig ljuskälla av Argonfluorid(ArF) som hanterar de fina ledarbredderna, hög dielektrisk Aluminiumhafniumoxid(AHO) inlagd i kondensatorn för att förstärka dess datalagringskaraktär samt Samsungs egen Recessed Channel Array Transistor (RCAT).