Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Annons
Komponenter | 15 september 2004

90 nm i massproduktion

Samsung blir först i halvledarindustrin med masstillverkning av 512 Mb DDR SDRAM i 90 nm-teknologi.
Samsung meddelar att övergÄngen frÄn 0.10 micron till 90 nm kommer att innebÀra en produktionsökning pÄ 40%. Kretsarna ska produceras pÄ 300 mm skivor och kommer att bli tillgÀngliga i 400 och 333 MHz-versioner.

Nyckeln till den framgÄngsrika processen Àr en kortvÄgig ljuskÀlla av Argonfluorid(ArF) som hanterar de fina ledarbredderna, hög dielektrisk Aluminiumhafniumoxid(AHO) inlagd i kondensatorn för att förstÀrka dess datalagringskaraktÀr samt Samsungs egen Recessed Channel Array Transistor (RCAT).
Visa fler nyheter
2019-01-17 14:20 V11.11.0-1