Infineon satsar 1,1 miljarder euro på GaN-fabrik i Österrike
Infineon investerar omkring 1,1 miljarder euro fram till 2034 i en fabrik för volymtillverkning av krafthalvledare i galliumnitrid (GaN) på 300-millimeter-kiselskivor i Villach i Österrike. Enligt bolaget blir det den första fabriken i världen av sitt slag, och produktionen ska starta i slutet av 2027.
Fabriken byggs i Infineons befintliga renrum i Villach, vilket enligt bolaget gör det möjligt att bygga ut kapaciteten effektivt och till en lägre kostnad. Det framgår av ett pressmeddelande från Infineon. Utbyggnaden ska ske i takt med efterfrågan. EU-kommissionen har godkänt statligt stöd på 319 miljoner euro inom ramen för EU:s chipsakt, men det formella beslutet från det österrikiska näringsdepartementet återstår.
– Den här betydande investeringen visar vårt tydliga engagemang för att stärka det europeiska halvledarekosystemet och Europas tekniska självständighet. Genom att etablera serietillverkning på 300 millimeters skivor blir vi det första företaget i världen som tar krafthalvledare i galliumnitrid till volymproduktion, säger Infineons vd Jochen Hanebeck.
Infineon tillverkade sina första GaN-skivor på 300 millimeter för två år sedan och flyttar nu tekniken till serieproduktion. Den större skivan ger 2,3 gånger så många chip som en skiva på 200 millimeter. Galliumnitrid kan omvandla och styra ström mer effektivt än kisel, vilket ger mindre och mer energisnåla system. Infineon riktar sig bland annat mot AI-datacenter, energiinfrastruktur, elfordon, robotik och hemelektronik. Med hänvisning till analysföretaget Yole Group räknar Infineon med att marknaden för krafthalvledare i galliumnitrid växer med omkring 35 procent per år, till cirka 3,5 miljarder dollar 2031.
Bolaget har inte sagt hur många nya jobb GaN-fabriken kommer att ge.
