Infineon tar kiselkarbid till 300 millimeters wafers
Infineon har för första gången förädlat kiselkarbidwafers med en diameter på 300 millimeter till fungerande krafthalvledare. Det skedde i bolagets fabrik i Villach i Österrike, där kretsarna har tillverkats på den utrustning som redan används för kiselkretsar.
Enligt Infineon är bolaget först i världen med att göra det i en fullskalig halvledarfabrik. Den större wafern rymmer omkring 2,3 gånger så många chip som dagens wafers på 200 millimeter, vilket gör tillverkningen betydligt effektivare, skriver bolaget i ett pressmeddelande. Någon tidsplan för serieproduktion finns ännu inte. Den ska tas fram tillsammans med kunderna, och under tiden fortsätter Infineon att bygga ut tillverkningen på 200 millimeter.
Vid anläggningen i Dresden har Infineon samtidigt visat att bolagets teknik Cold Split fungerar även för kiselkarbid i 300 millimeter. Med metoden delas kristallen upp i wafers utan sågning. Det ger mindre materialspill och går betydligt snabbare, så att fler wafers kan tas ut ur samma kristall.
– Med kisel, galliumnitrid och nu kiselkarbid på 300 millimeters wafers har vi ett ledande läge för att skala upp halvledartillverkningen och skapa lönsam tillväxt, säger Infineons vd Jochen Hanebeck.
Därmed arbetar Infineon med 300 millimeters wafers för alla tre materialen. I slutet av oktober presenterade bolaget en investering på omkring 1,1 miljarder euro i en fabrik för krafthalvledare i galliumnitrid på 300 millimeters wafers, också den i Villach. Den första kiselkarbidwafern visas upp på mässan electronica i München, som öppnar i dag.
Vad tekniken betyder för kostnaderna säger Infineon inte.
